理研计器|半导体工艺全流程之外延生长

每个半导体产品的制造都需要数百个工艺，我们将整个制造过程分为八个步骤：晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-外延生长-扩散-离子注入。

为帮助大家了解和认识半导体及相关工艺，我们将每期推送微信文章，为大家逐一介绍上述每个步骤。

如今随着半导体技术的不断发展，器件速度越来越快，存储容量越来越大，半导体工艺中的关键尺寸也在不断缩小，这也带来了对光刻对准越来越高的要求，比如像以前 0.35微米的产品如果光刻对偏的 0.01微米，不会有太大的影响，但如果是0.13 微米甚至更精密的产品0.01微米的偏差已经会让整个产品完全失效。

在这种背景下，外延生长作为一个必然会带来图形漂移的工艺，必须想办法把漂移量稳定控制在可接受的范围内，才能保证产品的稳定，才不会影响后面的工艺。
今天，我们就带大家了解一下半导体的“外延生长”工艺。